Uvod.

Problematika mikroelektronike i nanoelektronike, razvoj, značaj i perspektiva.

Osnovni tehnološki postupci planarne tehnike za izradu mikro i nano-elemenata.

Epitaksijalni rast. Difuzija. Implantacija. Litografija. Oksidacija. Metalizacija.

Monolitna bipolarna Si IK. 

Načini izolacije. Veza između tehnoloških, geometrijskih i električnih parametara IK. Tehnike izrade bipolarnih  tranzistora i performanse. Tehnika izrade i proračuna pasivnih  komponenata u IK. Elementi unipolarnih monolitnih IK. Tehnika izrade i performanse JFET, NMOS, PMOS i CMOS  tranzistora. MOS tranzistori sa poboljšanim karakteristikama. MOS tranzistori sa Si gejtom. VMOS, DMOS I MOS tranzistori sa  heksagonalnim  kanalom. MOS tranzistori na safiru i izolatoru. MOS  tranzistori kao memorijski elementi. NMOS, FAMOS i sl.GaAs  FET - ovi.

Performanse GaAs IK i način izrade.

Smanjenje dimenzija (skaliranje).

Pravila i vrste skaliranja. Uticaj skaliranja na karakteristike elemenata i integrisanih kola. Ograničenja: tehnološka, fizička i elektrofizička.

Elementi projektovanja IK.

Projektovanje i proračun elemenata bipolarnih i unipolarnih tranzistora, otpornika i kondenzatora. Principi stapanja.Pravila raspoređivanja elemenata. Preporuke za nacrt topologije. Provera pravilnosti izrade.

Modeli za simulaciju elemenata.

Problemi disipacije u mikroelektronici i nanoelektronici.

Osnovni elementi termičke analize. Izvori toplote. Toplotna otpornost. Toplotni modeli komponenata.

Funkcionalna mikro i nano-elektronika.

Osnovni principi funkcionisanja naprava. Nove naučne discipline.

Pozuzdanost mikro i nano-elektronskih naprava.

Pokazatelji pouzdanosti. Pouzdanost i smanjenje dimenzija naprava. Mehanizmi otkaza: elektromigracija, degradacija dielektrika, efekti pakovanja i okoline.